据里手说消息中間领會到,廣东光大第三代半导体科研制造中間1區占地面积135203平方米,修建面积283928平方米;重要内容為紧密半导体装备制造、氮化镓衬底出產线、氮化镓器件出產线、蓝绿Mini/Micro LED外延芯片出產线和配套特气廠務举措措施;建成後估计出產2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on G減肥按摩油,aN/Si器件、4英寸蓝绿Mini LED外延芯片。此中投資额為44亿元,動工時候為2022年1月,估计2024年11月完成投產。
廣东光大第三代半导体科研制造中間2區項目占地面积125309平方米,修建面积375927平方米;重要内容為Mini LED COB顯示模组出產线廠房、钻研院、中试中間、辦公楼和宿舍糊口配套举措措施;估计年產P0.7-1.5 COB顯示模组约45万㎡/年;投資额為56亿元,動工時候為2022年1月,估计2024年11月完成投產。